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SI4425BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, 表面安装
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| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4425BDY-T1-E3
库存编号2101444
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8.8A
漏源接通状态电阻0.012ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI4425BDY-T1-E3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.8A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4425BDY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005