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SI4420BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY19.960 (CNY22.5548) |
| 10+ | CNY14.430 (CNY16.3059) |
| 100+ | CNY11.440 (CNY12.9272) |
| 500+ | CNY9.250 (CNY10.4525) |
| 1000+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 5000+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4420BDY-T1-E3复制
库存编号1497615
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续13.5A
漏源接通状态电阻8500µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.4W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000925