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SI4403DDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY7.790 | CNY7.79 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.790 (CNY8.8027) |
| 10+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
| 100+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 5000+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
15.4A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001