打印页面
SI4401BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：28 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.590 | CNY42.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4401BDY-T1-E3
库存编号
复卷2101443RL
切割卷带2101443
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续8.7A
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI4401BDY-T1-E3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4401BDY-T1-E3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000257