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SI4190ADY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY24.270 | CNY24.27 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.270 (CNY27.4251) |
| 10+ | CNY16.030 (CNY18.1139) |
| 100+ | CNY11.180 (CNY12.6334) |
| 500+ | CNY9.020 (CNY10.1926) |
| 1000+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 5000+ | CNY7.700 (CNY8.701) |
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产品概述
SI4190ADY-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于DC-DC初级侧开关, 电信/服务器等应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18.4A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4190ADY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000254