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SI4151DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 20.5 A, 6250 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.510 | CNY16.51 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.510 (CNY18.6563) |
| 10+ | CNY10.550 (CNY11.9215) |
| 100+ | CNY7.100 (CNY8.023) |
| 500+ | CNY5.630 (CNY6.3619) |
| 1000+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
| 5000+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4151DY-T1-GE3
库存编号
复卷3954174RL
切割卷带3954174
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20.5A
漏源接通状态电阻6250µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散5.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
20.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
6250µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001