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SI4103DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.020 | CNY12.02 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.020 (CNY13.5826) |
| 10+ | CNY7.580 (CNY8.5654) |
| 100+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 500+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
| 1000+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 5000+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
6700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4103DY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000124