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SI3552DV-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.190 | CNY8.19 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.190 (CNY9.2547) |
| 50+ | CNY7.790 (CNY8.8027) |
| 100+ | CNY7.380 (CNY8.3394) |
| 500+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 1500+ | CNY7.090 (CNY8.0117) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 9000+ | CNY5.040 (CNY5.6952) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3552DV-T1-E3复制
库存编号
整卷2679687
复卷2646377RL
切割卷带2646377
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道2.5A
漏源通态电阻N沟道0.085ohm
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
晶体管封装类型TSOP
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.15W
耗散功率P沟道1.15W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.15W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
1.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000129