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SI3424CDV-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.970 | CNY24.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 10+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 100+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 500+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 1000+ | CNY1.150 (CNY1.2995) |
| 5000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001