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SI2399DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.390 | CNY21.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
| 50+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 100+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 500+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 1500+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2399DS-T1-GE3
库存编号
复卷2056681RL
切割卷带2056681
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI2399DS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008