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SI2387DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 80 V, 3 A, 0.164 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.950 | CNY24.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
| 50+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 100+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 500+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 1500+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2387DS-T1-GE3复制
制造商标准货期17 周
库存编号
复卷3765809RL
切割卷带3765809
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.164ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- P 沟道 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV P沟道功率MOSFET
- 100 %Rg和UIS测试
- 应用包括负载开关、电路保护和电机驱动控制
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.164ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000662