打印页面
SI2369DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.420 | CNY27.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 50+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
| 100+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
| 500+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 1500+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 9000+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道30V功率MOSFET, ±20V栅-源电压。采用Trench MOSFET®技术。
- 100% Rg经过测试
- 无卤素
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
7.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.029ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033