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SI2356DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.850 | CNY19.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 50+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 100+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
| 500+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 1500+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 9000+ | CNY0.908 (CNY1.026) |
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产品概述
The SI2356DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for DC / DC converter, load switches, LED backlighting and power management applications.
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.051ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127