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SI2337DS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2337DS-T1-E3复制
库存编号2101436
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.27ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散760mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
SI2337DS-T1-E3 的替代之选
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产品概述
The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
760mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.27ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091