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SI2333DDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.150 | CNY20.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 50+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 100+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 500+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
| 1500+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
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产品概述
SI2333DDS-T1-GE3是一款12VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关与电池开关应用。
- 100% Rg经过测试
- -55到150°C 工作温度范围
- 无卤素
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012