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SI2328DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.090 | CNY40.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 50+ | CNY7.030 (CNY7.9439) |
| 100+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 500+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 1500+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 9000+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2328DS-T1-GE3复制
库存编号
整卷3879348
复卷2283673RL
切割卷带2283673
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续1.5A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI2328DS-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.5A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI2328DS-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363