打印页面
SI2325DS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, TO-236, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：36 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.400 | CNY17.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY6.930 (CNY7.8309) |
| 9000+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The SI2325DS-T1-E3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.
- Ultra-low ON-resistance
- Small size
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
530mA
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI2325DS-T1-E3 的替代之选
找到 3 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001