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SI2323DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3.7 A, 0.039 ohm, TO-236, 表面安装
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| 100+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2323DS-T1-GE3复制
库存编号2101434
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.7A
漏源接通状态电阻0.039ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散750mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001