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SI2319DS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.230 | CNY31.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 50+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 100+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
| 500+ | CNY3.360 (CNY3.7968) |
| 1500+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
品項附註
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SI2319DS-T1-E3 的替代之选
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产品概述
SI2319DS-T1-E3 是一款-40V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.082ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002