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SI2318HDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 5.6 A, 0.042 ohm, TO-236, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 10+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 100+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 500+ | CNY0.958 (CNY1.0825) |
| 1000+ | CNY0.776 (CNY0.8769) |
| 5000+ | CNY0.675 (CNY0.7628) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2318HDS-T1-GE3
库存编号4777166
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续5.6A
漏源接通状态电阻0.042ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2.1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001