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SI2318CDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.650 | CNY33.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.650 (CNY7.5145) |
| 50+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 100+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 500+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
| 1500+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 9000+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
品項附註
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产品概述
- N沟道40V（D-S）TrenchFET®功率MOSFET
- 100% Rg经过测试
- 应用于 DC/DC 转换器、负载开关
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536