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SI2315BDS-T1-GE3.
场效应管, P沟道, MOSFET
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 10+ | CNY5.570 (CNY6.2941) |
| 100+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 5000+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY9.07 (CNY10.25 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P Channel
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
Surface Mount
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
晶体管封装类型
SOT-23
功率耗散
750mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2315BDS-T1-GE3. 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000044