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| 100+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
| 500+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 1000+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 5000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
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产品概述
The SI2308BDS-T1-E3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.66W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.156ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2308BDS-T1-E3 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00005

