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SI2307BDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.150 | CNY9.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 10+ | CNY4.710 (CNY5.3223) |
| 100+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 500+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
| 1000+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 5000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
品項附註
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产品概述
SI2307BDS-T1-E3是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。
- 100% Rg经过测试
- -55到150°C 工作温度范围
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.078ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000042