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SI2306BDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.750 | CNY23.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 50+ | CNY3.920 (CNY4.4296) |
| 100+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 500+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
| 1500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
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产品概述
The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.047ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000044