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SI2305CDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.950 | CNY14.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
| 50+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
| 100+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 500+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 1500+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.953 (CNY1.0769) |
| 9000+ | CNY0.866 (CNY0.9786) |
品項附註
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产品概述
The SI2305CDS-T1-GE3 is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.8A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2305CDS-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008