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SI2302CDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 100+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
| 500+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
| 1000+ | CNY2.150 (CNY2.4295) |
| 5000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
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产品概述
The SI2302CDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
710mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.057ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2302CDS-T1-E3 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005