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SI2122DS-T1-BE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
| 10+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 100+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 500+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 1000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 5000+ | CNY0.824 (CNY0.9311) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY37.80 (CNY42.71 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.17A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001