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SI1967DH-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1967DH-T1-GE3
库存编号2335282
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
漏源通态电阻N沟道0.64ohm
漏源导通电阻P沟道0.64ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI1967DH-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- PWM optimized
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源导通电阻P沟道
0.64ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.64ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005