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SI1965DH-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY6.710 | CNY33.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.710 (CNY7.5823) |
| 10+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 100+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
| 500+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 1000+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 5000+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1965DH-T1-GE3复制
库存编号
复卷3772742RL
切割卷带3772742
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
电流, Id 连续1.3A
漏源电压Vds P沟道12V
在电阻RDS（上）0.315ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.315ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.315ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值400mV
针脚数6引脚
功耗 Pd1.25W
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
12V
电流, Id 连续
1.3A
在电阻RDS（上）
0.315ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.315ohm
漏源导通电阻P沟道
0.315ohm
阈值栅源电压最大值
400mV
功耗 Pd
1.25W
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001