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SI1965DH-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY6.020 | CNY6.02 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.020 (CNY6.8026) |
| 10+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 100+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 500+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 1000+ | CNY1.850 (CNY2.0905) |
| 5000+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1965DH-T1-GE3复制
制造商标准货期13 周
库存编号
复卷3772742RL
切割卷带3772742
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
漏源通态电阻N沟道0.315ohm
漏源导通电阻P沟道0.315ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源导通电阻P沟道
0.315ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.315ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001