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SI1926DL-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
包装选项
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1926DL-T1-E3复制
库存编号
整卷2679674
复卷2646364RL
切割卷带2646364
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道370mA
连续漏极电流 Id P沟道370mA
漏源通态电阻N沟道1.4ohm
漏源导通电阻P沟道1.4ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道510mW
耗散功率P沟道510mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
SI1926DL-T1-E3 的替代之选
找到 3 件产品
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
370mA
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
510mW
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
370mA
漏源通态电阻N沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
510mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123