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SI1922EDH-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 1.3A, SC-70
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 10+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
| 100+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 500+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 1000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 5000+ | CNY0.999 (CNY1.1289) |
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最低: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1922EDH-T1-BE3复制
库存编号3776029
技术数据表
漏源电压Vds N沟道20V
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
技术规格
漏源电压Vds N沟道
20V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
耗散功率P沟道
-
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000033