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SI1902DL-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 0.66A, SC-70
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1902DL-T1-BE3复制
库存编号3776028
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道660mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.32ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道270mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
660mA
漏源通态电阻N沟道
0.32ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
270mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033