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SI1902CDL-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 1.1A, SC-70
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| 100+ | CNY1.870 (CNY2.1131) |
| 500+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
| 1000+ | CNY0.999 (CNY1.1289) |
| 5000+ | CNY0.839 (CNY0.9481) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1902CDL-T1-BE3复制
库存编号3776027
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N Channel
漏源导通电阻P沟道-
耗散功率N沟道420mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N Channel
耗散功率N沟道
420mW
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源导通电阻P沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000034