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SI1869DH-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道 与 P沟道, 20V, 1.2A, SC-70
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 100+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 500+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 1000+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 5000+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1869DH-T1-BE3复制
库存编号3776026
技术数据表
连续漏极电流 Id N沟道1.2A
连续漏极电流 Id P沟道1.2A
晶体管封装类型SC-70
耗散功率N沟道1W
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
连续漏极电流 Id N沟道
1.2A
晶体管封装类型
SC-70
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
连续漏极电流 Id P沟道
1.2A
耗散功率N沟道
1W
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000151