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SI1553CDL-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.470 | CNY17.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 50+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 100+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 500+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 1500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 9000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1553CDL-T1-GE3复制
库存编号
整卷3879350
复卷2454800RL
切割卷带2454800
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道700mA
连续漏极电流 Id P沟道700mA
漏源通态电阻N沟道0.325ohm
漏源导通电阻P沟道0.325ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道340mW
耗散功率P沟道340mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源导通电阻P沟道
0.325ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
340mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
700mA
漏源通态电阻N沟道
0.325ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
340mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
SI1553CDL-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000051