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SI1553CDL-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道 与 P沟道, 20V, 0.7A, SC-70
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1553CDL-T1-BE3复制
库存编号3776024
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
晶体管封装类型SC-70
耗散功率N沟道340mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
技术规格
漏源电压Vds N沟道
20V
晶体管封装类型
SC-70
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds P沟道
20V
耗散功率N沟道
340mW
产品范围
TrenchFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000033