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SI1480DH-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
| 100+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 500+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
| 1000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 5000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
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产品概述
SI1480DH-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关应用。
- 100％Rg经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI1480DH-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005