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SI1425DH-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-363, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 10+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 100+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 500+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 1000+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 5000+ | CNY0.686 (CNY0.7752) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY29.25 (CNY33.05 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
0
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001