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SI1424EDH-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.810 | CNY24.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 10+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 100+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 500+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 1000+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 5000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
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产品概述
The SI1424EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switching and battery switch applications.
- 4000V ESD performance
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.033ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005