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SI1416EDH-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.9A, SC-70/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t
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| 10+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
| 100+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 1000+ | CNY0.946 (CNY1.069) |
| 5000+ | CNY0.854 (CNY0.965) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1416EDH-T1-BE3复制
库存编号3775169
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
电流, Id 连续3.9A
漏源接通状态电阻0.047ohm
晶体管封装类型SC-70
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
功率耗散2.8W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
技术规格
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
10V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Series
漏源接通状态电阻
0.047ohm
晶体管安装
Surface Mount
功率耗散
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033