打印页面
SI1401EDH-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
21,715 有货
需要更多？
21,715 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.220 (CNY5.8986) |
| 10+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 100+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 500+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 1000+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 5000+ | CNY1.000 (CNY1.130) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY26.10 (CNY29.49 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The SI1401EDH-T1-GE3 is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and battery switch applications.
- 1500V ESD performance
- Halogen-free
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
1.5V
功率耗散
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005