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SI1401EDH-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, 表面安装
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| 100+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1000+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 5000+ | CNY1.000 (CNY1.130) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1401EDH-T1-GE3
库存编号2335277
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型SOT-363
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压1.5V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散2.8W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI1401EDH-T1-GE3 is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and battery switch applications.
- 1500V ESD performance
- Halogen-free
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
1.5V
功率耗散
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005