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SI1317DL-T1-BE3
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 1.4A, SC-70/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.740 (CNY5.3562) |
| 10+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 100+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 500+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 1000+ | CNY0.992 (CNY1.121) |
| 5000+ | CNY0.831 (CNY0.939) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1317DL-T1-BE3复制
库存编号3775168
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.4A
漏源接通状态电阻0.125ohm
晶体管封装类型SC-70
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散500mW
产品范围TrenchFET Series
合规-
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
1.4A
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.125ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
800mV
产品范围
TrenchFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033