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SI1034CX-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.630 | CNY23.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 50+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
| 100+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
| 500+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 1500+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 9000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1034CX-T1-GE3复制
库存编号
整卷3879353
复卷2889706RL
切割卷带2889706
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道610mA
连续漏极电流 Id P沟道610mA
漏源通态电阻N沟道0.33ohm
漏源导通电阻P沟道0.33ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道220mW
耗散功率P沟道220mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
610mA
漏源导通电阻P沟道
0.33ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
220mW
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
610mA
漏源通态电阻N沟道
0.33ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
220mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.025