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SI1032R-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.590 | CNY32.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.590 (CNY7.4467) |
| 50+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
| 100+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
| 500+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
| 1500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1032R-T1-GE3
库存编号
复卷2335272RL
切割卷带2335272
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续140mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SC-75A
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散250mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
SI1032R-T1-GE3 的替代之选
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产品概述
The SI1032R-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 35ns Fast switching speed
- 1.5V Rated voltage
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
140mA
晶体管封装类型
SC-75A
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005