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SI1029X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.990 | CNY19.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
| 50+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 100+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 500+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
| 9000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1029X-T1-GE3复制
库存编号
整卷2335038
复卷2101477RL
切割卷带2101477
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道305mA
连续漏极电流 Id P沟道305mA
漏源通态电阻N沟道1.4ohm
漏源导通电阻P沟道1.4ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI1029X-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with replace digital transistor, level-shifter, battery operated systems and power supply converter circuits applications. It offers ease in driving switches, low offset (error) voltage, low-voltage operation and high-speed circuits.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Very small footprint
- High-side switching
- Low ON-resistance
- ±2V Low threshold
- 15ns Fast switching speed
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
305mA
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
305mA
漏源通态电阻N沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
SI1029X-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031