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SI1025X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
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| 10+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 100+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 500+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
| 1000+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 5000+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1025X-T1-GE3复制
库存编号2335271
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道190mA
连续漏极电流 Id P沟道190mA
漏源通态电阻N沟道4ohm
漏源导通电阻P沟道4ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
190mA
漏源导通电阻P沟道
4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
190mA
漏源通态电阻N沟道
4ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005