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SI1013R-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 350 mA, 1.2 ohm, SOT-416, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 10+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 100+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 1000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 5000+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The SI1013R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- High-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 14ns Fast switching speed
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
技术规格
通道类型
P通道
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
450mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压, Vds
20V
晶体管封装类型
SOT-416
Rds(on)测试电压
1.8V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003