打印页面
SI1012R-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-416, 表面安装
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1012R-T1-GE3
库存编号2335266
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续600mA
漏源接通状态电阻0.7ohm
晶体管封装类型SOT-416
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散150mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
SI1012R-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
The SI1012R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- High-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 10ns Fast switching speed
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
SOT-416
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005